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| 有机太阳能电池载流子输运机制和稳定性研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 孙阳![](/image/person.jpg)
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Peng YS (Peng Yin-Sheng); Ye XL (Ye Xiao-Ling); Xu B (Xu Bo); Niu JB (Niu Jie-Bin); Jia R (Jia Rui); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Liang S (Liang Song); Yang XH (Yang Xiao-Hong); Peng, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cynthia@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 黄添懋 ; 陈诺夫; 张兴旺 ; 白一鸣; 尹志岗 ; 施辉伟 ; 张汉 ; 汪宇 ; 王彦硕; 杨晓丽![](/image/person.jpg)
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| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平 ; 郭严; 魏鸿源 ; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 生长氧化锌薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910079800.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王振华; 刘祥林; 杨少延; 杨安丽
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| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭严; 宋华平 ; 郑高林; 魏鸿源 ; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 时凯; 刘祥林; 魏鸿源 ; 焦春美; 王俊; 李志伟; 宋亚峰; 杨少延; 朱勤生; 王占国
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| 在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 桑玲; 王俊; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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