已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 张逸韵; 汪炼成; 郭恩卿; 孙波; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(293Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1948/355  |  提交时间:2012/09/09 |
| 利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010119349.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张连; 丁凯; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(401Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1670/279  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010128387.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 丁凯; 张连; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1622/264  |  提交时间:2011/08/31 |
| 可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25 发明人: 张连; 曾建平; 魏同波; 闫建昌; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(734Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:750/91  |  提交时间:2014/11/17 |
| 一种可调控能带的LED量子阱结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-11 发明人: 张连; 曾建平; 路红喜; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(957Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:668/70  |  提交时间:2014/11/17 |
| 一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22 发明人: 魏学成; 赵丽霞; 张连; 于治国; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(372Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1209/98  |  提交时间:2014/11/05 |
| 芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12 发明人: 谢海忠; 张连; 宋昌斌; 姚然; 薛斌; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(338Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:849/104  |  提交时间:2014/11/05 |
| 应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的垂直结构发光二极管 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-24 发明人: 马骏; 汪炼成; 张逸韵; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(291Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:623/102  |  提交时间:2014/10/28 |
| 应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的发光二极管 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-24 发明人: 马骏; 汪炼成; 张逸韵; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(285Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:658/99  |  提交时间:2014/10/28 |
| 利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014 发明人: 冯向旭; 张宁; 刘乃鑫; 付丙磊; 朱绍歆; 张连; 魏同波; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(231Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1217/133  |  提交时间:2014/11/17 |