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面向有源以太网功率转换应用的GaN半桥集成功率器研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  寇玉霞
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无权访问的条目 学位论文
作者:  叶艳霞
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硅衬底氮化镓材料制备生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  冯玉霞
Adobe PDF(4277Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1008/99  |  提交时间：2015/06/02
Si衬底  Aln  Gan  生长机制  应力  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu YJ (Lu Yuan-Jie);  Lin ZJ (Lin Zhao-Jun);  Yu YX (Yu Ying-Xia);  Meng LG (Meng Ling-Guo);  Cao ZF (Cao Zhi-Fang);  Luan CB (Luan Chong-Biao);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fu YC (Fu Ying-Chun);  Wang XF (Wang Xiao-Feng);  Fan ZC (Fan Zhong-Chao);  Yang X (Yang Xiang);  Bai YX (Bai Yun-Xia);  Zhang JY (Zhang Jia-Yong);  Ma HL (Ma Hui-Li);  Ji A (Ji An);  Yang FH (Yang Fu-Hua)
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对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  姜磊;  白云霞;  王莉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王建林;  刘忠立;  王良臣;  曾一平;  杨富华;  白云霞
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  卞松保;  李桂荣;  唐艳;  胡冰;  李月霞;  杨富华;  郑厚植
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  罗谦;  杨谟华;  杜江锋;  梅丁蕾;  王良臣;  白云霞
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱莉;  郑厚植;  谭平恒;  周霞;  姬扬;  杨富华;  李桂荣;  曾宇昕
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