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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [1]
作者
叶小玲 [1]
文献类型
专利 [1]
发表日期
2007 [1]
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中文 [1]
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发表日期：2007
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砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李凯
;
叶小玲
;
王占国
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提交时间：2009/06/11
