×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [5]
作者
文献类型
会议论文 [5]
发表日期
2004 [2]
2003 [1]
2000 [1]
1999 [1]
语种
英语 [5]
出处
2004 7TH I... [1]
APOC 2003:... [1]
MICROELECT... [1]
OPTICAL MA... [1]
PHOTONICS ... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [5]
资助机构
Chinese In... [1]
Chinese Ma... [1]
Int Union ... [1]
SPIE.; Chi... [1]
SPIE.; Nan... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
限定条件
文献类型:会议论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
发表日期升序
发表日期降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
提交时间升序
提交时间降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in GaNAs/GaAs single quantum well
会议论文
APOC 2003:ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS; MATERIALS, ACTIVE DEVICES, AND OPTICAL AMPLIFIERS, PTS 1 AND 2, 5280, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 04-06, 2003
作者:
Ying-Qiang X
;
Zhang W
;
Niu ZC
;
Wu RG
;
Wang QM
;
Ying-Qiang X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(75Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1647/495
  |  
提交时间:2010/10/29
Ganas
Sio2 Encapsulation
Rapid-thermal-annealing
Nitrogen Reorganization
Molecular-beam Epitaxy
Optical-properties
Mu-m
Influence of fluorine on radiation-induced charge trapping in the SIMOX buried oxides
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Zhang, GQ
;
Liu, ZL
;
Li, N
;
Zhen, ZS
;
Liu, GH
;
Lin, Q
;
Zhang, ZX
;
Lin, CL
;
Zhang, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(144Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1665/231
  |  
提交时间:2010/03/29
Fluorine
Simox
Charge Trapping
Radiation
Sio2
The plasmon resonance absorption of Ag/SiO2 nanocomposite films
会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Yang L
;
Liu YL
;
Wang QM
;
Shi HZ
;
Li GH
;
Zhang LD
;
Yang L Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(111Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1185/257
  |  
提交时间:2010/11/15
Ag/sio2 Nanocomposite Film
Plasmon Resonance Absorption
Mie Theory
Surface Resonance State
Quantum Size Effect
Image-potential States
Optical-properties
Surfaces
Lifetimes
Particles
Electron
Ag
The fabrication of thick SiO2 layer by anodization
会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Ou HY
;
Yang QQ
;
Lei HB
;
Wang QM
;
Hu XW
;
Ou HY Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(185Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1295/369
  |  
提交时间:2010/11/15
Thick Sio2 Layer
Porous Silicon
Sio2/si Waveguide Device
Wave-guides
Silicon
Normal-incident SiGe/Si MQWs photodetectors operating at 1.3 mu m
会议论文
PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899, SINGAPORE, SINGAPORE, DEC 01-03, 1999
作者:
Cheng BW
;
Li C
;
Yang QQ
;
Wang HJ
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(176Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1166/229
  |  
提交时间:2010/10/29
Sige/si
Mqws
Photodetector
1.3 Mu-m
Si/sio2