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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JG;  Wang XX;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM;  Hau J;  Ding L;  Ge WK;  Zhang, JG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jianguochang@yahoo.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu Q (Xu Qiang);  Luo JW (Luo Jun-Wei);  Li SS (Li Shu-Shen);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Li JB (Li Jingbo);  Wei SH (Wei Su-Huai);  Li, JB, Acad Sinica, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li ZY;  Yu JZ;  Chen SW;  Liu JW;  Xia JS;  Li, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lizhy@semi.ac.cn
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Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Liu, XF (Liu, X. F.);  Sun, GS (Sun, G. S.);  Li, JM (Li, J. M.);  Zhao, YM (Zhao, Y. M.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Luo, MC (Luo, M. C.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Micro-raman  4h-sic  Defects  3c-inclusions  Triangle-shaped Inclusion  Epitaxial Layers  Silicon-carbide  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li ZY (Li Zhi-Yong);  Liu JW (Liu Jing-Wei);  Yu JZ (Yu Jin-Zhong);  电子邮箱地址: lizhy@semi.ac.cn
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Heavily doped polycrystalline 3C-SiC growth on SiO2/Si(100) substrates for resonator applications 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Sun, G (Sun, Guosheng);  Ning, J (Ning, Jin);  Liu, X (Liu, Xingfang);  Zhao, Y (Zhao, Yongmei);  Li, J (Li, Jiaye);  Wang, L (Wang, Lei);  Zhao, W (Zhao, Wanshun);  Wang, L (Wang, Liang);  Sun, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Polycrystalline 3c-sic  Resonator  Doping  Silicon-carbide  
Design considerations for a silicon-based p-i-n phase modulator in a double ridge waveguide with side isolating grooves 会议论文
2007 4TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS, Tokyo, JAPAN, SEP 19-21, 2007
作者:  Chen SW;  Xu DX;  Xu XJ;  Tu XG;  McKinnon R;  Barrios P;  Cheben P;  Janz SF;  Yu JZ;  Chen, SW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Silicon Photonics  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chang K;  Liu JT;  Xia JB;  Dai N;  Chang, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, NLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: kchang@red.semi.ac.cn
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