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Native oxided AlAs current blocking layer for AIGaInP high brightness light emitting diodes 会议论文
LIGHT-EMITTING DIODES: RESEARCH, MANUFACTURING, AND APPLICATIONS IV, 3938, SAN JOSE, CA, JAN 26-27, 2000
作者:  Wang GH;  Ma XY;  Zhang YF;  Wang ST;  Li YZ;  Chen LH;  Wang GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices Beijing 100083 Peoples R China.
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Native Oxided Alas  Current Blocking Layer  Algainp  High Brightness Light Emitting Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu D;  Yang H;  Zhang SM;  Zheng LX;  Zhao DG;  Li SF;  Wang YT;  Wu RH;  Xu D,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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