|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078559.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王彦硕; 陈诺夫; 白一鸣; 黄添懋 ; 陈晓峰; 张汉
 Adobe PDF(470Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1440/240 | 提交时间：2011/08/31 |
| 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 黄添懋; 陈诺夫; 施辉伟; 尹志岗; 吴金良; 王彦硕; 汪宇; 张汉
Adobe PDF(242Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1633/254 | 提交时间：2011/08/31 |
| 复合构型可调谐光栅外腔双模激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
发明人: 金鹏; 魏恒; 吴艳华; 陈红梅; 王占国
Adobe PDF(734Kb) | 收藏 | 浏览/下载：733/100 | 提交时间：2014/11/17 |
| 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人: 王翠梅; 王晓亮; 彭恩超; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
Adobe PDF(582Kb) | 收藏 | 浏览/下载：672/80 | 提交时间：2014/12/25 |
| 一种利用非偏振光调控自旋极化电子的系统及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04
发明人: 马惠; 陈涌海; 蒋崇云; 刘雨
Adobe PDF(710Kb) | 收藏 | 浏览/下载：710/90 | 提交时间：2014/11/17 |
| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人: 王晓亮; 王翠梅; 肖红领; 彭恩超; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
Adobe PDF(568Kb) | 收藏 | 浏览/下载：705/98 | 提交时间：2014/10/31 |
| 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13
发明人: 王晓亮; 彭恩超; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
Adobe PDF(535Kb) | 收藏 | 浏览/下载：744/94 | 提交时间：2014/10/24 |
| 输出功率和光谱形状独立可调的发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-28
发明人: 陈红梅; 金鹏; 王占国
Adobe PDF(549Kb) | 收藏 | 浏览/下载：579/92 | 提交时间：2014/11/24 |
| 具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-29
发明人: 王晓亮; 彭恩超; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
Adobe PDF(597Kb) | 收藏 | 浏览/下载：626/87 | 提交时间：2014/12/25 |
