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| 一种高阻GaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
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| 一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-17
发明人: 聂诚磊; 杨晓红; 王秀平; 王杰; 刘少卿; 李彬; 杨怀伟; 尹伟红; 韩勤
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| InGaN太阳能电池及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
发明人: 李亮; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 吴亮亮; 乐伶聪; 杨辉
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| 改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 吴亮亮; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 李亮; 乐伶聪; 杨辉
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| 高电阻低位错GaN薄膜及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
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| 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-30
发明人: 乐伶聪; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 何晓光; 李晓静; 杨辉
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| 氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 赵德刚; 陈平; 刘宗顺; 朱建军; 江德生; 杨辉
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| 具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 陈平; 赵德刚; 朱建军; 刘宗顺; 江德生; 杨辉
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| 含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 杨静; 赵德刚; 陈平; 刘宗顺; 江德生
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| 低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 杨静; 赵德刚; 陈平; 刘宗顺; 江德生
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