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| 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 尹志冈; 杨霏
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| 制备稀磁半导体Ga 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈晨龙; 陈诺夫; 吴金良
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| 在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 陈晨龙
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| 磁性半导体镓锰锑单晶热平衡生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈晨龙; 陈诺夫; 吴金良
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| 紫外激光写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 夏君磊; 吴远大; 安俊明; 郜定山; 李健; 龚春娟; 胡雄伟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吴远大; 夏君磊; 安俊明 ; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 夏君磊; 吴远大; 安俊明; 郜定山; 李健; 胡雄伟
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