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一种光瞬态自动测试系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  蒋波;  卢励吾;  张砚华
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一种制备三元高K栅介质材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李艳丽;  陈诺夫;  刘立峰;  尹志刚;  杨菲;  柴春林
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单相钆硅化合物以及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李艳丽;  陈诺夫;  杨少延;  刘志凯
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具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置与测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen YY (Chen Yuan-Yuan);  Li YP (Li Yan-Ping);  Sun F (Sun Fei);  Yang D (Yang Di);  Chen SW (Chen Shao-Wu);  Yu JZ (Yu Jin-Zhong);  Chen, YY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: chyy@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui P (Cui Ping);  Li XQ (Li Xin-Qi);  Shao JS (Shao Jiushu);  Yan YJ (Yan YiJing);  Li, XQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xqli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han P (Han Ping);  Li XQ (Li Xin-Qi);  Zhang HY (Zhang Houyu);  He GZ (He Guozhong);  Yan YJ (Yan Yijing);  Yan, YJ, Chinese Acad Sci, Dalian Inst Chem Phys, State Key Lab Mol React Dynam, Dalian 116023, Peoples R China. E-mail: yyan@ust.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai YK (Bai Yan-Kui);  Li SS (Li Shu-Shen);  Zheng HZ (Zheng Hou-Zhi);  Wang ZD (Wang Z. D.);  Bai, YK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu B (Hu Bing);  Zhou X (Zhou Xia);  Tang Y (Tang Yan);  Gan HD (Gan Huadong);  Zhu H (Zhu Hui);  Li GR (Li Guirong);  Zheng HZ (Zheng Houzhi);  Hu, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: hubing@red.semi.ac.cn;  hzzheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin JS (Jin Jinshuang);  Li XQ (Li Xin-Qi);  Yan YJ (Yan YiJing);  Jin, JS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jsjin@red.semi.ac.cn
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