SEMI OpenIR
(本次检索基于用户作品认领结果)

浏览/检索结果: 共10条,第1-10条 帮助

限定条件            
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  伊晓燕;  王良臣;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(529Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1314/250  |  提交时间:2009/06/11
一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王立彬;  伊晓燕;  刘志强;  陈宇;  郭德博;  王良臣
Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1531/265  |  提交时间:2009/06/11
低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈宇;  王良臣;  伊晓燕;  李艳
Adobe PDF(386Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1399/257  |  提交时间:2009/06/11
背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马龙;  王良臣;  王立彬;  郭金霞;  伊晓燕
Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1082/164  |  提交时间:2009/06/11
发光二极管封装结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  杨华;  卢鹏志;  谢海忠;  于飞;  郑怀文;  薛斌;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(281Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1411/231  |  提交时间:2012/09/09
氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1592/234  |  提交时间:2011/08/31
全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  闫发旺;  孙莉莉;  张会肖;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1518/288  |  提交时间:2011/08/31
氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
Adobe PDF(314Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1710/266  |  提交时间:2011/08/31
GaN基薄膜芯片的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102496667A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  刘硕;  郭恩卿;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(757Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1088/190  |  提交时间:2012/09/09
发光二极管封装结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102231421A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  杨华;  卢鹏志;  谢海忠;  于飞;  郑怀文;  薛斌;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1538/274  |  提交时间:2012/09/09