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具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102290481A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  刘德伟;  黄永光;  朱小宁;  王熙元;  马丽;  朱洪亮
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具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102227005A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  刘德伟;  黄永光;  朱小宁;  王熙元;  马丽;  朱洪亮
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广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280513A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  黄永光;  朱小宁;  刘德伟;  王熙元;  马丽;  朱洪亮
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基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人:  康贺;  王晓亮;  肖红领;  王翠梅;  冯春;  姜丽娟;  殷海波;  崔磊
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一种制作发射极环绕型太阳电池的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-17
发明人:  朱洪亮;  朱小宁;  黄永光
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一种制作金属环绕型太阳电池的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  朱洪亮;  黄永光;  朱小宁
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在硅片上制作八边形微孔的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-24
发明人:  黄永光;  王熙元;  刘德伟;  朱小宁;  王宝军;  朱洪亮
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具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人:  王翠梅;  王晓亮;  彭恩超;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
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实现半导体量子阱结构带隙蓝移的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07
发明人:  黄永光;  朱洪亮;  崔晓
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双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  肖红领;  彭恩超;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:693/98  |  提交时间:2014/10/31