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硅基可协变衬底上生长三族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张宝顺;  杨辉
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氮化镓基发光二极管管芯的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张书明;  杨辉
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小尺寸氮化镓基蓝、绿色发光二极管管芯的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨辉;  张书明
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氮化镓基发光二极管N型层欧姆接触电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨辉;  张书明
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一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-04-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张子旸;  王占国;  徐波;  金鹏;  刘峰奇
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制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BS;  Wu M;  Liu JP;  Chen J;  Zhu JJ;  Shen XM;  Feng G;  Zhao DG;  Wang YT;  Yang H;  Boyd AR;  Zhang, BS, Changchun Univ Sci & Technol, State Key Lab High Power Semicond Lasers, Weixing Rd 7083, Changchun 130022, Peoples R China. 电子邮箱地址: baoshunzhang@126.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song, YP;  Zhang, HZ;  Lin, C;  Zhu, YW;  Li, GH;  Yang, FH;  Yu, DP;  Yu, DP, Peking Univ, Sch Phys, Natl Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: yudp@pku.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu M;  Zhang BS;  Chen J;  Liu JP;  Shen XM;  Zhao DG;  Zhang JC;  Wang JF;  Li N;  Jin RQ;  Zhu JJ;  Yang H;  Wu, M, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Zhang BS;  Wu M;  Li DB;  Zhang JC;  Jin RQ;  Zhu JJ;  Chen J;  Wang JF;  Wang YT;  Yang H;  Liu, JP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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