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用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓欣;  张建国;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xin, P (Xin Ping);  Sun, CW (Sun Cheng-Wei);  Qin, FW (Qin Fu-Wen);  Wen, SP (Wen Sheng-Ping);  Zhang, QY (Zhang Qing-Yu);  Zhang, QY, Dalian Univ Technol, State Key Lab Mat Modificat Laser Ion & Elect Bea, Dalian 116024, Peoples R China. 电子邮箱地址: qyzhang@dlut.edu.cn
Adobe PDF(238Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：657/186  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan PH;  Xu ZY;  Luo XD;  Ge WK;  Zhang Y;  Mascarenhas A;  Xin HP;  Tu CW;  Tan, PH, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pt290@cam.ac.uk;  yong_zhang@nrel.gov
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sui XH (Sui Xiao-Hong);  Zhang RX (Zhang Ruo-Xin);  Pei WH (Pei Wei-Hua);  Chen HD (Chen Hong-Da);  Sui, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xhsui@mail.semi.ac.cn
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神经微电极阵列及MEMS 工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  张若昕
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xin Z (Xin Zhang);  Ning HZ (Ning Hua Zhu);  Liang X (Liang Xie);  Bo XF (Bo Xue Feng);  Xin, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhxin@semi.ac.cn;  nhzhu@semi.ac.cn;  xiel@semi.ac.cn;  fengbx@lzu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, T (Zhang, Tao);  Zhu, NH (Zhu, Ning Hua);  Zhang, BH (Zhang, Bang Hong);  Zhang, X (Zhang, Xin);  Zhang, T, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tzhang@semi.ac.cn;  nhzhu@semi.ac.cn;  zhbh@semi.ac.cn;  zhxin@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张欣;  陈伟;  刘宇;  王欣;  谢亮;  祝宁华;  冯博学
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张欣;  张韬;  陈伟;  刘宇;  王欣;  谢亮;  祝宁华;  冯博学
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  谢亮;  王欣;  黄亨沛;  张家宝;  祝宁华
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