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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong JJ (Dong J. J.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  You JB (You J. B.);  Cai PF (Cai P. F.);  Yin ZG (Yin Z. G.);  An Q (An Q.);  Ma XB (Ma X. B.);  Jin P (Jin P.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Chu PK (Chu Paul K.);  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang W (Wang Wei);  Huang BJ (Huang Bei-Ju);  Dong Z (Dong Zan);  Liu HJ (Liu Hai-Jun);  Zhang X (Zhang Xu);  Guan N (Guan Ning);  Chen J (Chen Jin);  Guo WL (Guo Wei-Lian);  Niu PJ (Niu Ping-Juan);  Chen HD (Chen Hong-Da);  Wang, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangweiww33@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭婷婷;  王守觉;  王红武;  胡海晓;  安冬;  邬文锦;  夏维;  翟亚锋
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱洪亮;  许晓冬;  王桓;  孔端花;  梁松;  王宝军;  赵玲娟;  王圩
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