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用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  尹志冈;  杨霏
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang T (Yang Tao);  Tatebayashi J (Tatebayashi Jun);  Nishioka M (Nishioka Masao);  Arakawa Y (Arakawa Yasuhiko);  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang RX (Wang R. X.);  Xu SJ (Xu S. J.);  Djurisic AB (Djurisic A. B.);  Beling CD (Beling C. D.);  Cheung CK (Cheung C. K.);  Cheung CH (Cheung C. H.);  Fung S (Fung S.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Yang H (Yang H.);  Tao XM (Tao X. M.);  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang RX (Wang R. X.);  Xu SJ (Xu S. J.);  Shi SL (Shi S. L.);  Beling CD (Beling C. D.);  Fung S (Fung S.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Yang H (Yang H.);  Tao XM (Tao X. M.);  Wang, RX, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: sjxu@hkucc.hku.hk
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