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| 斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910092876.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 陆全勇; 张伟; 王利军; 刘俊岐; 李路 ; 刘峰奇; 王占国
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| 带有准光子晶体波导的量子级联激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010175432.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 尹雯; 陆全勇; 张伟; 刘峰奇; 张全德; 刘万峰; 江宇超; 李路; 刘俊岐; 王利军; 王占国
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| 利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 施辉伟; 陈诺夫; 黄添懋; 尹志岗; 吴金良; 张汉
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| 集成热敏电阻的金刚石热沉 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010034103.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张全德; 刘峰奇; 王利军; 张伟; 刘万峰; 陆全勇; 刘俊岐; 李路; 王占国
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| 短波长光栅面发射量子级联激光器结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231191.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 江宇超; 刘俊岐; 陆全勇; 张伟; 郭万红; 李路; 刘峰奇; 王利军; 王占国
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| 锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237094.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张伟; 王利军; 刘俊岐; 李路; 张全德; 陆全勇; 高瑜; 刘峰奇; 王占国
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| 基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910093299.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张云霄; 廖栽宜; 周帆; 赵玲娟; 王圩
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| 一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113745.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 朱洪亮; 朱小宁; 梁松; 张兴旺; 刘德伟; 王圩
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| 垂直发射量子级联激光器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010171511.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭万红; 刘俊岐; 陆全勇; 张伟; 江宇超; 李路; 王利军; 刘峰奇; 王占国
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| 一种制备高速电吸收调制器的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810225782.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张伟; 潘教青; 汪洋; 朱洪亮
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