| 一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构及其制作方法 | |
朱洪亮; 朱小宁 ; 梁松; 张兴旺; 刘德伟; 王圩
| |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构，该结构由上至下依次包括：迎光面广谱陷光层；p型硅基衬底；n型磷扩散层；以及背光面广谱吸收黑硅层。本发明同时公开了一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构的制作方法。利用本发明，可充分利用黑硅材料的特点，使进入电池的太阳光几乎能被全部吸收，同时利用背面掺杂梯度自建场分离黑硅中产生的光生电子-空穴对，使之被电极接收转化为光电流，解决了传统硅基电池受红外吸收限制，不能吸收和转化1.1微米以上波长太阳光谱的问题；该结构的pn结由扩散结形成，能确保电池开路电压不受黑硅低能光子转化降低的影响，从而有效提高了硅基太阳能电池的光电转换效率。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 专利号 | CN201010113745.0 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201010113745.0 |
| 专利代理人 | 周国城 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22225 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱洪亮,朱小宁,梁松,等. 一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构及其制作方法. CN201010113745.0. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN201010113745.0.pdf（466KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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