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气态束源炉瞬态开关控制真空装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  徐晓华;  徐应强;  张纬;  韩勤;  吴荣汉
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带有外加磁场的深能级测量样品架装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
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波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆羽;  张靖;  朱洪亮;  王圩
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新型平面型DFB内光栅耦合结构制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-07-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  朱洪亮;  王圩;  刘国利;  张静媛
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang L;  Lin T;  Wei X;  Wang GH;  Zhang GZ;  Zhang HB;  Ma XY;  Jiang, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei WS;  Wang TM;  Zhang CX;  Li GH;  Han HX;  Ding K;  Wei, WS, Beihang Univ, Ctr Mat Phys & Chem, Sch Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: weiwensheng287@sohu.com
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1.3 m GaInNAs 量子阱激光器器件物理基础研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  张玮
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jia YL;  Wei ZY;  Zheng JA;  Ling WJ;  Wang YG;  Ma XY;  Zhang ZG;  Jia, YL, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Lab Opt Phys, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: wzhy@aphy.iphy.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin, T;  Jiang, L;  Wei, X;  Wang, GH;  Zhang, GZ;  Ma, XY;  Lin, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Device, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lintao@htoe.com.cn
Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1164/554  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ni HQ;  Niu ZC;  Xu XH;  Xu YQ;  Zhang W;  Wei X;  Bian LF;  He ZH;  Han Q;  Wu RH;  Ni, HQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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