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中国科学院半导体研究所机构知识库
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专题:半导体超晶格国家重点实验室
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学位论文
作者:
朱礼军
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提交时间:2014/05/28
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Pan, D
;
Fu, MQ
;
Yu, XZ
;
Wang, XL
;
Zhu, LJ
;
Nie, SH
;
Wang, SL
;
Chen, Q
;
Xiong, P
;
von Molnar, S
;
Zhao, JH
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提交时间:2015/04/02
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期刊论文
作者:
Zhu, LJ
;
Pan, D
;
Zhao, JH
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提交时间:2015/04/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhu LJ (Zhu, Lijun)
;
Nie SH (Nie, Shuaihua)
;
Meng KK (Meng, Kangkang)
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Pan D (Pan, Dong)
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Zhao JH (Zhao, Jianhua)
;
Zheng HZ (Zheng, Houzhi)
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提交时间:2013/04/02
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期刊论文
作者:
Li, QT
;
Zhao, Q
;
Lu, B
;
Zhang, HB
;
Liu, S
;
Tang, ZP
;
Qu, LJ
;
Zhu, R
;
Zhang, JM
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You, LP
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Yang, FH
;
Yu, DP
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提交时间:2013/03/17
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期刊论文
作者:
Yu, Y
;
Li, MF
;
He, JF
;
Zhu, Y
;
Wang, LJ
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Ni, HQ
;
He, ZH
;
Niu, ZC
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提交时间:2013/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
He JF
;
Wang HL
;
Shang XJ
;
Li MF
;
Zhu Y
;
Wang LJ
;
Yu Y
;
Ni HQ
;
Xu YQ
;
Niu ZC
;
He, JF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, hejifang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1015/276
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提交时间:2012/01/06
在衬底上生长异变缓冲层的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:
贺继方
;
尚向军
;
倪海桥
;
王海莉
;
李密峰
;
朱岩
;
王莉娟
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喻颖
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贺正宏
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徐应强
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牛智川
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提交时间:2012/08/29
具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:
赵建华
;
朱礼军
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提交时间:2014/10/31