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砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高宏玲;  曾一平;  段瑞飞;  王宝强;  朱战平;  崔利杰
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铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴巨;  王宝强;  朱战平;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, HL (Gao Hong-Ling);  Li, DL (Li Dong-Lin);  Zhou, WZ (Zhou Wen-Zheng);  Shang, LY (Shang Li-Yan);  Wang, BQ (Wang Bao-Qiang);  Zhu, ZP (Zhu Zhan-Ping);  Zeng, YP (Zeng Yi-Ping);  Gao, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hlgao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  高宏玲;  李东临;  周文政;  商丽燕;  王宝强;  朱战平;  曾一平
Adobe PDF(353Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1079/281  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang BZ (Wang Bao-Zhu);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Hu GX (Hu Guo-Xin);  Ran JX (Ran Jun-Xue);  Wang XH (Wang Xin-Hua);  Guo LC (Guo Lun-Chun);  Xiao HL (Xiao Hong-Ling);  Li JP (Li Jian-Ping);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Li JM (Li Jin-Min);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Wang, BZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangbz@semi.ac.cn
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制备纳米级超薄硅可协变衬底的可控性腐蚀法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓峰;  曾一平;  黄风义;  王保强;  朱占平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu ZP(朱占平);  Wang Xiaofeng;  Zeng Yiping;  Wang Baoqiang;  Zhu Zhanping;  Du Xiaoqing;  Li Min;  Chang Benkang
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无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔利杰;  曾一平;  王保强;  朱战平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  仇志军;  蒋春萍;  桂永胜;  疏小舟;  郭少令;  褚君浩;  崔利杰;  曾一平;  朱战平;  王保强
Adobe PDF(406Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:943/282  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈晔;  李国华;  朱作明;  韩和相;  汪兆平;  周伟;  王占国
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