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InAlAs量子点材料的AFM和拉曼散射研究 期刊论文
激光与光电子学进展, 2006, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 68-72
Authors:  张冠杰;  陈涌海;  姚江宏;  舒强;  刘如彬;  舒永春;  王占国;  许京军
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缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响 期刊论文
人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 3, 页码: 466-470
Authors:  吴洁君;  韩修训;  李杰民;  黎大兵;  魏宏远;  康亭亭;  王晓晖;  刘祥林;  王占国
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纳米半导体材料及其纳米器件研究进展 期刊论文
半导体技术, 2001, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 17
Authors:  王占国
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ZnO∶Tb纳米晶的制备、结构与发光性质 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 418
Authors:  刘舒曼;  刘峰奇;  郭海清;  张志华;  王占国
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MOCVD生长的InGaN合金的性质 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 166
Authors:  闫华;  卢励吾;  王占国
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生长在(311)A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究 期刊论文
红外与毫米波学报, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 53
Authors:  陈晔;  李国华;  朱作明;  韩和相;  汪兆平;  周伟;  王占国
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InGaN光致发光性质与温度的关系 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 569
Authors:  樊志军;  刘祥林;  万寿科;  王占国
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不同尺寸分布的自组织In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的静压光谱 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1092
Authors:  陈晔;  张旺;  李国华;  韩和相;  汪兆平;  周伟;  王占国
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氧、硼、磷掺杂对氢化非晶硅中铒1.54μm发光的作用 期刊论文
发光学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 196
Authors:  梁建军;  王永谦;  陈维德;  王占国;  常勇
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侧基发光性单体与无机纳米颗粒的组装及其光学性质 期刊论文
物理化学学报, 2000, 卷号: 16, 期号: 11, 页码: 968
Authors:  张志华;  郭海清;  吕美华;  刘舒曼;  王占国
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