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| 用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李路 ; 刘峰奇; 周华兵; 梁凌燕; 吕小晶
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| 砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李路; 刘峰奇; 刘俊岐; 郭瑜; 周华兵; 梁凌燕; 吕小晶
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| 一种高阻GaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
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| 半导体灯泵侧泵激光器的冷却方法和冷却装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人: 赵伟芳; 林学春; 侯玮; 于海娟; 伊肖静; 李晋闽
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| 半导体侧泵激光器的冷却方法和冷却装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人: 赵伟芳; 林学春; 侯玮; 于海娟; 伊肖静; 李晋闽
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| 端泵激光器的冷却方法和冷却装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-10
发明人: 赵伟芳; 林学春; 侯玮; 于海娟; 伊肖静; 李晋闽
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| 高电阻低位错GaN薄膜及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
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| 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-30
发明人: 乐伶聪; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 何晓光; 李晓静; 杨辉
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| 含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-08
发明人: 杨静; 赵德刚; 李亮; 吴亮亮; 乐伶聪; 李晓静; 何晓光
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| InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 杨静; 赵德刚; 乐伶聪; 李晓静; 何晓光
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