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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体照明研... [17]
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专利 [16]
期刊论文 [1]
发表日期
2021 [1]
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出处
ACTA PHYSI... [1]
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专题:中科院半导体照明研发中心
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Huang Guang-Wei
;
Wu Kun
;
Chen Ye
;
Li Lin-Xiang
;
Zhang Si-Yuan
;
Wang Zun-Gang
;
Zhu Hong-Ying
;
Zhou Chun-Zhi
;
Zhang Yi-Yun
;
Liu Zhi-Qiang
;
Yi Xiao-Yan
;
Li Jin-Min
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提交时间:2022/03/28
植入空气隙光子晶体的氮化镓基发光二极管的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人:
杜成孝
;
郑海洋
;
魏同波
;
王军喜
;
李晋闽
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浏览/下载:558/60
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提交时间:2014/12/25
氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-25
发明人:
姬小利
;
郭金霞
;
马平
;
马骏
;
魏同波
;
伊晓燕
;
王军喜
;
杨富华
;
曾一平
;
王国宏
;
李晋闽
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浏览/下载:1034/113
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提交时间:2014/11/17
银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:
孙波
;
赵丽霞
;
伊晓燕
;
刘志强
;
魏学成
;
王国宏
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浏览/下载:618/73
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提交时间:2014/10/29
纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:
孙波
;
赵丽霞
;
伊晓燕
;
刘志强
;
魏学成
;
王国宏
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浏览/下载:621/93
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提交时间:2014/10/29
制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:
孙波
;
赵丽霞
;
伊晓燕
;
刘志强
;
魏学成
;
王国宏
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浏览/下载:529/89
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提交时间:2014/10/29
纳米氮化镓发光二极管的制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:
孙波
;
赵丽霞
;
伊晓燕
;
刘志强
;
魏学成
;
王国宏
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浏览/下载:690/96
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提交时间:2014/10/29
大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:
孙波
;
赵丽霞
;
伊晓燕
;
刘志强
;
魏学成
;
王国宏
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浏览/下载:618/100
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提交时间:2014/10/29
一种具有六棱锥形p型氮化镓的发光二极管制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人:
杜成孝
;
魏同波
;
吴奎
;
王军喜
;
李晋闽
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浏览/下载:896/102
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提交时间:2014/12/25
在含镓氮化物上生长石墨烯薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人:
赵云
;
王刚
;
孙连峰
;
魏同波
;
段瑞飞
;
伊晓燕
;
李晋闽
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浏览/下载:754/99
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提交时间:2014/11/17