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光学自旋注入方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人:  张 飞;  郑厚植;  肖文波;  谈笑天;  孙晓明;  吴 昊;  朱 科;  罗 晶 
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一种谐振腔增强探测器腔模的控制方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:  孙晓明
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碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:  赵永梅;  宁 瑾;  孙国胜;  王 亮;  刘兴昉;  赵万顺;  王 雷;  李晋闽;  曾一平 
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一种用于微电子机械系统的碳化硅微通道的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:  刘兴昉;  孙国胜
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多晶立方相碳化硅微机电系统谐振器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:  王 亮;  宁 瑾;  孙国胜;  王 雷;  赵万顺;  赵永梅;  刘兴昉 
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氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  宁 瑾;  王 亮;  刘兴昉;  赵万顺;  王 雷;  李晋闽;  曾一平
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图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  刘兴昉;  王 亮;  王 雷;  赵万顺;  李晋闽;  曾一平 
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硅基亚微米表面光栅设计制作及驻波型谐振腔电光调制特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  孙阳
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong DH;  Zhu HL;  Liang S;  Zhang HG;  Sun Y;  Wang H;  Zhang W;  Zhao LJ;  Kong DH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: kdh@semi.ac.cn;  Liangsong@red.semi.ac.cn
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In(Ga)N/GaN异质外延纳米结构的生长以及表征 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  孙苋
Adobe PDF(5487Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:868/37  |  提交时间:2009/04/13