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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu XY (Liu Xiao-Yu); Ma WQ (Ma Wen-Quan); Zhang YH (Zhang Yan-Hua); Huo YH (Huo Yong-Heng); Chong M (Chong Ming); Chen LH (Chen Liang-Hui)
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| 电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081984.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 霍永恒; 马文全; 种明; 张艳华; 陈良惠
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| 一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102110594A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 彭红玲; 郑婉华; 石岩; 马绍栋
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| 甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 卫炀; 马文全; 张艳华; 曹玉莲
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| Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 张艳华; 马文全; 曹玉莲
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| 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07
发明人: 郭晓璐; 马文全; 张艳华
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| 一种II型III-V族量子点材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-31
发明人: 崔凯; 马文全; 张艳华
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| InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 黄建亮; 马文全; 张艳华; 曹玉莲
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| 钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 曹玉莲; 马文全; 张艳华
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| 近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人: 李琼; 马文全; 张艳华; 黄建亮
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