中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

  只显示已认领条目
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
分子束外延生长的 InAs/GaSb 二类超晶格材料的电学性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  郭晓璐
Adobe PDF(1065Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1136/53  |  提交时间：2013/06/24
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo, Xiaolu;  Ma, Wenquan;  Huang, Jianliang;  Zhang, Yanhua;  Wei, Yang;  Cui, Kai;  Cao, Yulian;  Li, Qiong
Adobe PDF(315Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1001/201  |  提交时间：2013/10/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui, Kai;  Ma, Wenquan;  Zhang, Yanhua;  Huang, Jianliang;  Wei, Yang;  Cao, Yulian;  Guo, Xiaolu;  Li, Qiong
Adobe PDF(502Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：989/208  |  提交时间：2013/08/27
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, Yanhua;  Ma, Wenquan;  Wei, Yang;  Cao, Yulian;  Huang, Jianliang;  Cui, Kai;  Guo, Xiaolu
Adobe PDF(866Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：733/147  |  提交时间：2013/04/19
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang JL (Huang, Jianliang);  Ma WQ (Ma, Wenquan);  Wei Y (Wei, Yang);  Zhang YH (Zhang, Yanhua);  Cui K (Cui, Kai);  Cao YL (Cao, Yulian);  Guo XL (Guo, Xiaolu);  Shao J (Shao, Jun)
Adobe PDF(1090Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：797/193  |  提交时间：2013/03/26
一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07
发明人:  郭晓璐;  马文全;  张艳华
Adobe PDF(390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1192/112  |  提交时间：2014/11/24