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用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王保柱;  王晓亮;  王晓燕;  王新华;  肖红领;  王军喜;  刘宏新
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, BL;  Sun, XH;  Zha, XZ;  Su, FH;  Li, GH;  Wu, XG;  Wu, J;  Wu, R;  Liu, J;  Zhu, BL, Wuhan Univ Sci & Technol, Key Lab Hubei Prov Ceram & Refractories, Nanomat Ctr, Wuhan 430081, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhubailin97@hotmail.com
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