中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共42条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人:  范海波;  杨少延;  张攀峰;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  陈涌海;  王占国 
Adobe PDF(330Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1417/249  |  提交时间：2010/03/19
Pockels effect in GaN/Al-x,Gal(1-x)N superlattice with different quantum structures - art. no. 69841G 会议论文
THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS,SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, SEP 25-28, 2007
作者:  Chen P;  Lib SP;  Tu XG;  Zuo YH;  Zhao L;  Chen SW;  Li JC;  Lin W;  Chen HY;  Liu DY;  Kang JY;  Yu YD;  Yu JZ;  Wang QM;  Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(386Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1708/355  |  提交时间：2010/03/09
Pockels Effect  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen P;  Tu XG;  Li SP;  Li JC;  Lin W;  Chen HY;  Liu DY;  Kang JY;  Zuo YH;  Zhao L;  Chen SW;  Yu YD;  Yu, JZ;  Wang QM;  Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pchen@semi.ac.cn
Adobe PDF(173Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1049/277  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan HB (Fan Hai-Bo);  Yang SY (Yang Shao-Yan);  Zhang PF (Zhang Pan-Feng);  Wei HY (Wei Hong-Yuan);  Liu XL (Liu Xiang-Lin);  Jiao CM (Jiao Chun-Mei);  Zhu QS (Zhu Qin-Sheng);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Fan, HB, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbfan@semi.ac.cn;  sh-yyang@semi.ac.cn
Adobe PDF(340Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：7387/2875  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu YH (Liu Yong-Hui);  Yang FH (Yang Fu-Hua);  Feng SL (Feng Song-Lin);  Liu, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liuyh@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(205Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：930/261  |  提交时间：2010/03/29
一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
Adobe PDF(1622Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1081/117  |  提交时间：2009/06/11
一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
Adobe PDF(1501Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1198/153  |  提交时间：2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
Adobe PDF(1262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1084/148  |  提交时间：2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
Adobe PDF(1337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1111/128  |  提交时间：2009/06/11
一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  刘祥林;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
Adobe PDF(330Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1300/165  |  提交时间：2009/06/11