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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
倒装双结铟镓氮太阳能电池结构
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
杨翠柏
;
肖红领
;
胡国新
;
冉学军
;
王翠梅
;
张小宾
;
李晋闽
Adobe PDF(676Kb)
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浏览/下载:1459/220
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提交时间:2009/06/11
采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
伊晓燕
;
王良臣
;
王国宏
;
李晋闽
Adobe PDF(529Kb)
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浏览/下载:1314/250
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提交时间:2009/06/11
光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李晋闽
;
王晓东
;
王国宏
;
王良臣
;
杨富华
Adobe PDF(606Kb)
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浏览/下载:1209/201
  |  
提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liang ZM
;
Jin C
;
Jin P
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Liang ZM Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lzhm4321@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(342Kb)
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浏览/下载:1105/317
  |  
提交时间:2010/03/08
一种组合式聚光器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈诺夫
;
崔敏
;
王彦硕
;
白一鸣
;
吴金良
;
黄添懋
Adobe PDF(473Kb)
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浏览/下载:1490/255
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提交时间:2009/06/11
单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
肖红领
;
杨翠柏
;
胡国新
;
冉学军
;
王翠梅
;
张小宾
;
李建平
;
李晋闽
Adobe PDF(676Kb)
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浏览/下载:1487/246
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提交时间:2009/06/11
生长氮化铟单晶薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
肖红领
;
胡国新
;
杨翠柏
;
冉学军
;
王翠梅
;
张小宾
;
李建平
;
李晋闽
Adobe PDF(480Kb)
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浏览/下载:1350/200
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提交时间:2009/06/11
聚光太阳电池单元
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈诺夫
;
黄添懋
;
王晓晖
;
陈晨龙
;
吴金良
;
董毅
Adobe PDF(324Kb)
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浏览/下载:1212/187
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提交时间:2009/06/11
GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈宇
;
王良臣
;
伊晓燕
;
郭金霞
Adobe PDF(581Kb)
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浏览/下载:1391/229
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提交时间:2009/06/11
Characterization of self-organized InAs/GaAs quantum dots under strain-induced and temperature-controlled nucleation mechanisms by atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy
会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:
Liang, LY
;
Ye, XL
;
Jin, P
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
;
Liang, LY, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(799Kb)
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浏览/下载:1600/232
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提交时间:2010/03/09
Induced Refractive-index
Growth
Lasers
Gaas