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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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WOS被引频次升序
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利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
韩根全
;
曾玉刚
;
余金中
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提交时间:2009/06/11
利用UHV/CVD低温生长SiGe材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
韩根全
;
曾玉刚
;
余金中
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提交时间:2009/06/11
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期刊论文
作者:
Wang HL
;
Wu DH
;
Wu BP
;
Ni HQ
;
Huang SS
;
Xiong YH
;
Wang PF
;
Han Q
;
Niu ZC
;
Tangring I
;
Wang SM
;
Wang HL Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattice & Microstruct Beijing 10008 Peoples R China. E-mail Address: hlwang_19841220@163.com
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
冉启江
;
韩培德
;
全宇军
;
高利朋
;
曾凡平
;
赵春华
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
秦龙
;
韩勤
;
杨晓红
;
朱彬
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鞠研玲
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
成步文
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薛春来
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罗丽萍
;
韩根全
;
曾玉刚
;
薛海韵
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王启明
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
胡新宁
;
王秋良
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崔春艳
;
韩立
;
谢亮
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
曾凡平
;
韩培德
;
高利朋
;
冉启江
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毛雪
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赵春华
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米艳红
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
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牛智川
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提交时间:2010/11/23