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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  冉启江;  韩培德;  全宇军;  高利朋;  曾凡平;  赵春华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  曾凡平;  韩培德;  高利朋;  冉启江;  毛雪;  赵春华;  米艳红
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, HY;  Yan, FW;  Fan, ZC;  Li, JM;  Zeng, YP;  Wang, GH;  Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hygao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qu S;  Zhang XW;  Gao Y;  You JB;  Fan YM;  Yin ZG;  Chen NF;  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
Adobe PDF(1179Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1030/276  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈定钦;  张晓玲;  熊思强;  高翠华;  周帆
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