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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong, L.;  Wang, H. L.;  Bajek, D.;  White, S. E.;  Forrest, A. F.;  Wang, X. L.;  Cui, B. F.;  Pan, J. Q.;  Ding, Y.;  Cataluna, M. A.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang H, Mi J, Zhou X, Meriggi L, Steer M, Cui B, Chen W, Pan J, Ding Y.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu D (Xu Dong);  Jiang B (Jiang Bin);  Jiao L (Jiao Lei);  Cui FD (Cui Feng-dan);  Xu HX (Xu Hong-xing);  Yang YT (Yang Yong-tao);  Yu RH (Yu Ren-hong);  Cheng XN (Cheng Xiao-nong)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang SG;  Zhang XW;  Yin ZG;  Wang JX;  Dong JJ;  Wang ZG;  Qu S;  Cui B;  Wowchak AM;  Dabiran AM;  Chow PP;  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
Adobe PDF(3266Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1379/380  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JB (You J. B.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Zhang SG (Zhang S. G.);  Wang JX (Wang J. X.);  Yin ZG (Yin Z. G.);  Tan HR (Tan H. R.);  Zhang WJ (Zhang W. J.);  Chu PK (Chu P. K.);  Cui B (Cui B.);  Wowchak AM (Wowchak A. M.);  Dabiran AM (Dabiran A. M.);  Chow PP (Chow P. P.);  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn;  paul.chu@cityu.edu.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu B;  Zhang Z;  Zhang R;  Fu DY;  Xie ZL;  Lu H;  Schaff WJ;  Song LH;  Cui YC;  Hua XM;  Han P;  Zheng YD;  Chen YH;  Wang ZG;  Zhang, R, Nanjing Univ, Dept Phys, Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat, Nanjing Natl Lab Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: rzhang@nju.edu.cn
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基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人:  康贺;  王晓亮;  肖红领;  王翠梅;  冯春;  姜丽娟;  殷海波;  崔磊
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密封传动装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
发明人:  王晓亮;  崔磊;  肖红领;  殷海波;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
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氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  李百泉;  肖红领;  殷海波;  冯春;  姜丽娟;  邱爱芹;  王翠梅;  介芳
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一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  殷海波;  王翠梅;  李百泉
Adobe PDF(414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：461/2  |  提交时间：2016/09/28