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| 光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李晋闽; 王晓东; 王国宏; 王良臣; 杨富华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: You JB ; Zhang XW; Dong JJ; Song XM; Yin ZG; Chen NF; Yan H; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Cai PF; You JB; Zhang XW; Dong JJ; Yang XL; Yin ZG; Chen NF; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: You JB; Zhang XW; Cai PF; Dong JJ; Gao Y; Yin ZG; Chen NF; Wang RZ; Yan H; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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| 聚光太阳电池单元 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈诺夫; 黄添懋; 王晓晖; 陈晨龙; 吴金良; 董毅
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| 双轨道太阳同步跟踪装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-02-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈诺夫; 吴金良; 陈晨龙; 董毅
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| Monolithic Integration of Light Emitting Diodes, Photodetector and Receiver Circuit in Standard CMOS Technology 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者: Huang BJ; Xu Zhang; Zan Dong; Wei Wang; Chen HD; Huang, BJ, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Silicon |
| 具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照GaAs太阳电池 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 白一鸣; 陈诺夫; 戴瑞烜; 王鹏; 王晓东
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| n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 白一鸣; 陈诺夫; 梁平; 孙红; 胡颖; 王晓东
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wu HJ (Wu Hui-Juan); Li XX (Li Xiao-Xin); Dong JQ (Dong Jian-Qiang); Pei WH (Pei Wei-Hua); Chen HD (Chen Hong-Da); Li, XX, Peking Univ, Dept Ophthalmol, Peoples Hosp, Beijing, Peoples R China. E-mail: drlixiaoxin@vip.sina.com
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