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Ge_xSi_(1-x)/Si中应变的会聚束电子衍射研究 期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 403
Authors:  范缇文;  吴巨;  王占国
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热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响 期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 369
Authors:  张砚华;  范缇文;  陈延杰;  吴巨;  陈诺夫;  王占国
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分子束外延InAs量子点材料的透射电子显微镜研究 期刊论文
北京科技大学学报, 1999, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 182
Authors:  白元强;  莫庆伟;  范缇文
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半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 558
Authors:  吴巨;  何宏家;  范缇文;  王占国
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In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs 材料系中有序结构的研究 期刊论文
电子显微学报, 1997, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 307
Authors:  范缇文;  林兰英
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MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究 期刊论文
发光学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 3, 页码: 228
Authors:  朱东海;  范缇文;  梁基本;  徐波;  朱战萍;  龚谦;  江潮;  李含轩;  周伟;  王占国
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As+注入Si1-xGex中应就驰豫的双晶X射线衍射研究 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 946
Authors:  邹吕凡;  王占国;  孙殿照;  何沙;  范缇文;  张靖巍
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As+注入Si(1-x)Gex的快速退火行为 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 717
Authors:  邹吕凡;  王占国;  孙殿照;  何沙;  范缇文;  刘学锋;  张靖巍
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应变异质结外延材料的缓冲层厚度与Frank-Read源的关系研究 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 186
Authors:  邹吕凡;  王占国;  范缇文
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透射电子显微学在半导体材料科学中的应用 期刊论文
电子显微学报, 1996, 卷号: 15, 期号: 2-4, 页码: 183
Authors:  范缇文;  林兰英
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