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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, Xian-Xin;   Jiang, Wen-Yu;   Wang, Xiao-Feng;   Zhao, Li-Yun;   Shi, Jia;   Zhang, Shuai;   Sui, Xinyu;   Chen, Zhe-Xue;   Du, Wen-Na;   Shi, Jian-Wei;   Liu, Qian;   Zhang, Qing;   Zhang, Yong;   Liu, Xin-Feng
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hong-Yan Chen;  Hong-Liang Lu;  Jin-Xin Chen;  Feng Zhang;  Xin-Ming Ji;  Wen-Jun Liu;  Xiao-Feng Yang;  David Wei Zhang
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单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078559.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王彦硕;  陈诺夫;  白一鸣;  黄添懋;  陈晓峰;  张汉
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锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081473.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  陈晓锋;  陈诺夫;  吴金良;  张秀兰;  柴春林;  俞育德
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一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  杨香;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  田丽欣;  刘敏;  申占伟;  赵万顺;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：523/3  |  提交时间：2016/09/28