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一种纳米尺寸三角形空气槽的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  屠晓光;  陈少武
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一种制作纵向双栅金属-氧化物-半导体器件的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  屠晓光;  陈少武
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SOI 光波导电光调制器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  屠晓光
Adobe PDF(5820Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1029/73  |  提交时间：2009/04/13