一种制作纵向双栅金属-氧化物-半导体器件的方法
屠晓光; 陈少武
2008-05-07
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2006-11-01
语种中文
申请号200610114187
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4003
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
屠晓光,陈少武. 一种制作纵向双栅金属-氧化物-半导体器件的方法[P]. 2008-05-07.
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