中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR
（本次检索基于用户作品认领结果）

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助

限定条件                        
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
发光二极管封装结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  杨华;  卢鹏志;  谢海忠;  于飞;  郑怀文;  薛斌;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(281Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1402/231  |  提交时间：2012/09/09
氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1581/234  |  提交时间：2011/08/31
全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  闫发旺;  孙莉莉;  张会肖;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1511/288  |  提交时间：2011/08/31
氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
Adobe PDF(314Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1703/266  |  提交时间：2011/08/31
发光二极管封装结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102231421A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  杨华;  卢鹏志;  谢海忠;  于飞;  郑怀文;  薛斌;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1532/274  |  提交时间：2012/09/09