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氮化铝谐振式压电MEMS 加速度计研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  杨健
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氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102244159A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑怀文;  张逸韵;  吴奎;  杨华;  李璟
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透明电极GaN基LED结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081994.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨华;  王晓峰;  阮军;  王国宏;  曾一平
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具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李璟;  王国宏;  魏同波;  张杨;  孔庆峰
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