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氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法; 氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法
郑怀文; 张逸韵; 吴奎; 杨华; 李璟
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种利用自组装薄膜作为掩膜刻蚀导电薄膜的方法,包括以下步骤:步骤1:取一蓝宝石衬底,在该蓝宝石衬底上生长氮化物外延层;步骤2:在氮化物外延层上生长导电薄膜;步骤3:在导电薄膜上采用自组装的方法生长一层光子晶体薄膜,形成掩膜;步骤4:进行退火处理;步骤5:采用刻蚀的方法对掩膜下的导电薄膜进行刻蚀,形成粗化的导电薄膜表面;步骤6:清洗去掉剩余的光子晶体薄膜,完成制备。
部门归属中科院半导体照明研发中心
专利号CN102244159A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110177081.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23507
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
郑怀文,张逸韵,吴奎,等. 氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法, 氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法. CN102244159A.
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氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法.pdf(327KB) 限制开放使用许可请求全文
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