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准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丁颖;  王圩;  王书学;  朱洪亮
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电吸收调制分布反馈半导体激光器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡小华;  李宝霞;  朱洪亮;  王圩
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偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-05-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王书荣;  王圩;  刘志宏;  张瑞英;  朱洪亮;  王鲁蜂
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光纤陀螺用单片集成波导型光收发芯片及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵玲娟;  张靖;  朱洪亮;  王圩;  周帆;  王宝军;  边静;  王鲁峰
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渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王书荣;  王圩;  朱洪亮;  张瑞英;  边静
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hou LP;  Zhu HL;  Zhou F;  Wang LF;  Bian J;  Wang W;  Hou, LP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: houlp@red.semi.ac.cn;  zhuhl@red.semi.ac.cn;  zhoufan@red.semi.ac.cn;  lfwang@red.semi.ac.cn;  jbian@red.semi.ac.cn;  wwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hou LP;  Wang W;  Zhu HL;  Hou, LP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: houlp@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S;  Zhu HL;  Pan JQ;  Zhao LJ;  Wang W;  Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangsong@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(207Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：769/205  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hou LP;  Zhu HL;  Kan Q;  Ding Y;  Wang BJ;  Zhou F;  Wang W;  Hou, LP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: houlp@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(128Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：997/279  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hou LP;  Wang W;  Feng W;  Liang S;  Zhu HL;  Zhou F;  Wang LF;  Bian J;  Hou, LP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: houlp@red.semi.ac.cn
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