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| 以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 任芸芸; 徐波 ; 周惠英; 刘明; 李志刚; 王占国
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| 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 金鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国
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| 在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王占国
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| 利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 徐波; 张春林; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 梁基本; 徐波; 龚谦; 韩勤; 周伟; 姜卫红; 刘会云; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周伟; 梁基本; 徐波; 龚谦; 李含轩; 刘峰奇; 姜卫红; 江潮; 许怀哲; 丁鼎; 张金福; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 姜卫红; 许怀哲; 龚谦; 徐波; 王吉政; 周伟; 梁基本; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 朱东海; 范缇文; 梁基本; 徐波; 朱战萍; 龚谦; 江潮; 李含轩; 周伟; 王占国
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