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The influence of thickness on properties of GaN buffer layer and heavily Si-doped GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189, TOKUSHIMA CITY, JAPAN, OCT 27-31, 1997
作者:  Liu XL;  Wang LS;  Lu DC;  Wang D;  Wang XH;  Lin LY;  Liu XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlliu@red.semi.ac.cn
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Movpe  Gan  Gan Buffer  Heavy Si-doping