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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Tang J
;
Wang XL
;
Chen TS
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Zhang ML
;
Hu GX
;
Feng C
;
Hou QF
;
Wei M
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Algan/gan Hemts
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Gas Sensors
Hemt Structures
Mobility
Temperature
Transistors
Growth
Mocvd
Layer
Hydrogen sensors based on Pt-AlGN/AIN/GaN Schottky diode - art. no. 68291R
会议论文
ADVANCED MATERIALS AND DEVICES FOR SENSING AND IMAGING III, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Wang, XH
;
Wan, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Way, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wan, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Hydrogen Sensor
Algan/gan Heterostructure
Schottky Diode
A New Technique for Side Pumping of Double-Clad Fiber Lasers
会议论文
AOE 2007 ASIA OPTICAL FIBER COMMUNICATION & OPTOELECTRONIC EXPOSITION & CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, OCT 17-19, 2007
作者:
Wang, DZ
;
Feng, XM
;
Wang, YG
;
Wang, CL
;
Lan, YS
;
Liu, SP
;
Ma, XY
;
Wang, DZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Grp High Power Lasers, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Growth mechanism of InGaAlAs waveguides by narrow stripe selective MOVPE
会议论文
Proceedings of International Symposium on Biophotonics Nanophotonics and Metamaterials, Hangzhou, PEOPLES R CHINA, OCT 16-18, 2006
作者:
Feng W
;
Pan WWJQ
;
Zhu HL
;
Zhao LJ
;
Zhou F
;
Wang LF
;
Wang BJ
;
Bian J
;
An X
;
Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Vapor-phase Epitaxy
Narrow stripe selective growth of InGaAlAs waveguides used for buried heterostructure lasers - art. no. 63210I
会议论文
Nanophotonic Materials III丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Diego, CA, AUG 13-14, 2006
作者:
Feng W
;
Pan JQ
;
Zhou F
;
Wang LF
;
Bian J
;
Wang BJ
;
An X
;
Zhao LJ
;
Zhu HL
;
Wang W
;
Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Inp
High-power operation of quantum cascade lasers endured prolonged air-oxidation
会议论文
Conference Digest of the 2006 Joint 31st International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 14th International Conference on Terahertz Electronics, Shanghai, PEOPLES R CHINA, SEP 18-22, 2006
作者:
Shao, Y (Shao, Ye)
;
Liu, FQ (Liu, Feng-Qi)
;
Li, L (Li, Lu)
;
Lu, XZ (Lu, Xiu-Zhen)
;
Liu, JQ (Liu, Jun-Qi)
;
Wang, ZG (Wang, Zhan-Guo)
;
Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Investigations on oxide-free InGaAlAs waveguides grown by narrow stripe selective MOVPE
会议论文
2006 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, Princeton, NJ, MAY 07-11, 2006
作者:
Feng, W (Feng, W.)
;
Pan, JQ (Pan, J. Q.)
;
Zhou, F (Zhou, F.)
;
Zhao, LJ (Zhao, L. J.)
;
Zhu, HL (Zhu, H. L.)
;
Wang, W (Wang, W.)
;
Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Buried-heterostructure Lasers
Bandgap Energy Control
Vapor-phase Epitaxy
Pressure Movpe
Converter
Continuous speech recognition based on ICA and geometrical learning
会议论文
ADVANCES IN MACHINE LEARNING AND CYBERNETICS丛书标题: LECTURE NOTES IN ARTIFICIAL INTELLIGENCE, Guangzhou, PEOPLES R CHINA, AUG 18-21, 2005
作者:
Feng H (Feng Hao)
;
Cao WM (Cao Wenming)
;
Wang SJ (Wang Shoujue)
;
Feng, H, Zhejiang Univ Technol, Informat Coll, Inst Intelligent Informat Syst, Hangzhou 310032, Peoples R China. 电子邮箱地址: zjhzfh@mail.zjxu.edu.cn
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提交时间:2010/03/29
Multi-weighted Neuron
Surface morphology and optical property of 1.3 mu m In0.5Ga0.5As/GaAs self-organized quantum dots grown by MBE
会议论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 17 (1-4), TOULOUSE, FRANCE, JUL 22-26, 2002
作者:
Lan Q
;
Niu ZC
;
Zhou DY
;
Kong YC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Feng SL
;
Niu ZC Chinese Acad Sci Natl Lab Superlattices Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15