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| 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(724Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1489/233  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李路; 刘峰奇; 周华兵; 梁凌燕; 吕小晶 Adobe PDF(593Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1305/182  |  提交时间:2009/06/11 |
| 砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李路; 刘峰奇; 刘俊岐; 郭瑜; 周华兵; 梁凌燕; 吕小晶 Adobe PDF(960Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1516/198  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘喆; 李晋闽; 王军喜; 王晓亮; 王启元; 刘宏新; 王俊; 曾一平 Adobe PDF(429Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1257/227  |  提交时间:2009/06/11 |
| n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 白一鸣; 陈诺夫; 梁平; 孙红; 胡颖; 王晓东 Adobe PDF(413Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1286/237  |  提交时间:2009/06/11 |
| 砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈诺夫; 白一鸣; 梁平; 王晓晖 Adobe PDF(434Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1193/194  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 王军喜; 王翠梅; 曾一平 Adobe PDF(449Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1336/197  |  提交时间:2009/06/11 |