已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华 Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1387/249  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081093.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 樊晶美; 王良臣; 刘志强 Adobe PDF(609Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1236/198  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102176496A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-07, 2012-09-07 发明人: 彭文博; 曾湘波; 刘石勇; 姚文杰; 谢小兵; 肖海波; 杨萍; 王超; 俞育德 Adobe PDF(429Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1298/250  |  提交时间:2012/09/07 |
| 一种平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010531375.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(467Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1364/255  |  提交时间:2011/08/31 |
| 平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010283557.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(578Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1480/229  |  提交时间:2011/08/31 |
| 平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010520209.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(939Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1269/194  |  提交时间:2011/08/31 |
| 相变存储器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马慧莉; 王晓峰; 张加勇; 程凯芳; 王晓东; 季安; 杨富华 Adobe PDF(478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1521/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 韩伟华; 熊莹; 赵凯; 杨香; 张严波; 王颖; 杨富华 Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1103/84  |  提交时间:2011/08/31 |
| 多位高集成度垂直结构存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17 发明人: 付英春; 王晓峰; 杨富华 Adobe PDF(847Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:677/94  |  提交时间:2014/12/25 |
| 激光器合束装置和方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02 发明人: 王翠鸾; 赵懿昊; 刘素平; 马骁宇 Adobe PDF(403Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:688/91  |  提交时间:2014/11/24 |