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| 水汽探测用激光芯片的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102364771A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩
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| 电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237090.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 汪洋 ; 赵玲娟; 朱洪亮; 王圩
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| 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196156.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 梁松; 边静; 安心; 王伟; 周代兵
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| 双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010269026.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 梁松; 朱洪亮; 王圩
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| 分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010564545.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘扬; 赵玲娟; 朱洪亮; 潘教青; 王圩
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| 一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113745.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 朱洪亮; 朱小宁; 梁松; 张兴旺; 刘德伟; 王圩
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| 异质掩埋激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196147.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 陈娓兮; 梁松; 边静; 安心; 王伟
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| 采用宽脉冲激光器光源扫描辐照制作黑硅材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078864.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 梁松; 朱洪亮; 林学春; 韩培德; 王宝华
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| 一种制作黑硅材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078865.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 朱洪亮; 梁松; 韩培德; 林学春; 王宝华
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| NPN异质结双极型晶体管激光器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240353.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 梁松; 朱洪亮; 王圩
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