一种制作黑硅材料的方法
朱洪亮; 梁松; 韩培德; 林学春; 王宝华
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种利用波长为1064nm和532nm两种激光器光源扫描制作黑硅材料的方法,该方法包括:步骤1:将硅片置于硫系物质环境中;步骤2:利用经过透镜聚焦的波长为1064nm和532nm的两种激光器光源,先后扫描辐照硅片表面,形成包含硅微锥、硅微粒和硅微洞的微结构黑硅材料。本发明将长波光源作用深度深、短波光源作用深度浅的特点同时融入黑硅材料的制作中,拓展了硫系掺杂物和硅微锥、微粒和微洞在表面层的范围,所以能够更充分地吸收入射光,将全太阳光谱的吸收系数提高到90%以上。
部门归属中科院半导体材料科学重点实验室
专利号CN200910078865.9
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910078865.9
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22279
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
朱洪亮,梁松,韩培德,等. 一种制作黑硅材料的方法. CN200910078865.9.
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